ملخص المشروع | تعتبر تقنية LTE للجيل الرابع من أحدث أنظمة الإتصالات اللاسلكيه والمستخدمه فى العديد من التطبيقات مثل شبكات التليفون المحمول والإنترنت ووصلات USB لاجهزة الحاسوب و غيرها من التطبيقات واسعة المدى , حيث تعمل فى حيز تردد 0.7 - 2.7 جيجا هرتز بقنوات مختلفة الاتساع - من 1.4 ميجا هرتز و حتى 20 ميجا هرتز بتقنية تقسيم الوقت او تقنية تقسيم التردد . فى هذا المشروع سيتم تصميم و تصنيع مرسل / استقبال يعمل فى الحيز الثالث من تقنية LTE و الذى يعتمد على تقنية تقسيم التردد و ذلك فى مجال 1710-1880 ميجا هرتز - تردد 1710-1785 ميجاهرتز للارسال و تردد 1805-1880 للاستقبال مع وجود فجوة 20 ميجاهرتز - و ذلك بتقنية تقسيم التردد و يتكون النموذج المقترح من اربعة اجزاء : دائرة طور مغلقة لتوليد الترددات المختلفة اللازمة للارسال و الاستقبال , دائرة مرسل عبارة عن مازج رافع للترددات و مكبر طاقة , دائرة مستقبل عبارة عن مكبر منخفض الشوشرة و مازج خافض للترددات , و مجموعة من مرشحات التردد . سيتم تصميم و تصنيع النموذج المقترح بتقنية CMOS UMC 130 نانومتر ما عدا المرشحات حيث سيتم تصنيعها خارج الرقيقة الالكترونية . و سيتم تصنيع النموذج على مرحلتين , المرحلة الاولى ستشمل تصنيع دوائر المرسل و المستقبل و اختبارهم كهربيا لاكتشاف الانحرافات الناتجة عن الفارق بين النموذج المستخدم للمحاكاة و التصنيع حيث سيتم تصحيح هذه الانحرافات و اعادة تصنيع دوائر المرسل و المستقبل مع دائرة الطور المغلقة ثم سيتم تجميع هذا الجزء مع الهوائى و المرشحات على لوحة دوائر مطبوعة . و يعتبر هذا المشروع نواه تصنيع المرسلات / المستقبلات واسعة المدى متعددة الترددات كما انه يساعد على رفع كفاءة الفريق البحثى . |